MEMORIA
FLASH
Es una tecnología de
almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura
de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la
tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite
velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM
primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada
operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los
dispositivos pendrive
MEMORIA
CACHE (INTERNA):
Es una innovación
relativamente reciente; en realidad son dos, cada una con una misión
específica: Una para datos y otra
para instrucciones. Están incluidas en el procesador junto con su
circuitería de control, lo que significa tres cosas: comparativamente es muy cara; extremadamente
rápida, y limitada en tamaño (en cada una de las cachés internas, los 386
tenían 8 KB; el 486 DX4 16 KB, y los primeros Pentium 8 KB). Como puede
suponerse, su velocidad de acceso es comparable a la de los registros, es
decir, centenares de veces más rápida que la RAM.
MEMORIA CACHE (EXTERNA):
Es
más antigua que la interna, dado que hasta fecha "relativamente"
reciente estas últimas eran impracticables. Es una memoria de acceso
rápido incluida en la placa base, que dispone de su propio bus y controlador
independiente que intercepta las llamadas a memoria antes que sean enviadas a
la RAM (Buses locales).
La caché externa típica es un banco SRAM ("Static Random Access Memory") de entre 128 y 256 KB. Esta memoria es considerablemente más rápida que la DRAM ("Dynamic Random Access Memory") convencional, aunque también mucho más cara (tenga en cuenta que un aumento de tamaño sobre los valores anteriores no incrementa proporcionalmente la eficacia de la memoria caché). Actualmente (2004) la tendencia es incluir esta caché en el procesador. Los tamaños típicos oscilan entre 256 KB y 1 MB.
La caché externa típica es un banco SRAM ("Static Random Access Memory") de entre 128 y 256 KB. Esta memoria es considerablemente más rápida que la DRAM ("Dynamic Random Access Memory") convencional, aunque también mucho más cara (tenga en cuenta que un aumento de tamaño sobre los valores anteriores no incrementa proporcionalmente la eficacia de la memoria caché). Actualmente (2004) la tendencia es incluir esta caché en el procesador. Los tamaños típicos oscilan entre 256 KB y 1 MB.
MEMORIA LIFO:
(Last
in-first out), la última información introducida en la memoria es la primera en
extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
Estas memorias especiales se crearon para librar a la CPU de gran parte de la labor de supervisión y control al realizar algunas operaciones del tipo de manipulación de datos memorizándolos y extrayéndolos a una secuencia establecida.
Estas memorias especiales se crearon para librar a la CPU de gran parte de la labor de supervisión y control al realizar algunas operaciones del tipo de manipulación de datos memorizándolos y extrayéndolos a una secuencia establecida.
MEMORIA FIFO:
(First
in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se
llama una fila de espera. No son de acceso aleatorio, es escasa su incidencia
en sistemas de microordenadores.
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